Małostratny tranzystor IGBT 650 V/60 A nowej generacji do układów korekcji PFC

Toshiba Electronics Europe prezentuje nowy 650-woltowy tranzystor IGBT, zaprojektowany do zastosowań w obwodach korekcji PFC w klimatyzatorach, sprzęcie AGD i zasilaczach. GT30J65MRB to tranzystor n-kanałowy o dopuszczalnym prądzie drenu 60 A, zamykany w obudowie TO-3P(N). Został wyprodukowany w najnowszym procesie technologicznym Trench, opracowanym przez firmę Toshiba, pozwalającym znacznie obniżyć straty przy pracy impulsowej. Wynoszą one typowo 0,35 mJ przy wyłączaniu (dla IC=15 A, VCE=400 V, +175°C), co oznacza, że zostały zredukowane o co najmniej 40% w porównaniu z odpowiednikami poprzedniej generacji. Ponadto, do zalet GT30J65MRB należy małe napięcie przewodzenia wewnętrznej diody, wynoszące typowo 1,2 V.

Układ korekcji PFC klimatyzatora opartego na tranzystorach IGBT wcześniejszej generacji mógł pracować z częstotliwością taktowania do 40 kHz. W przypadku nowego modelu GT30J65MRB możliwe jest zwiększenie częstotliwości pracy do 60 kHz, co pozwala zwiększyć sprawność energetyczną oraz zmniejszyć wymiary i masę współpracujących elementów pasywnych.

VCE

650 V

VGE

±25 V

IC

60 A (+25°C); 30 A (+100°C)

VCE(sat)

typ. 1,4 V (IC=30 A)

Eon/Eoff

1,8 mJ/0,35 mJ (+175°C)

Czas narastania/opadania

typ. 25/40 ns (IC=15 A, RG=56 Ω)

Ładunek bramki

70 nC (VCE=520 V, VGE=15 V, IC=30 A)

Maks. temperatura złącza

+175°C

 

Zapytania ofertowe
Małostratny tranzystor IGBT 650 V/60 A nowej generacji do układów korekcji PFC
Zapytanie ofertowe