Tranzystory GaN do wymagających aplikacji kosmicznych
EPC wprowadza na rynek dwa tranzystory GaN FET o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące, zaprojektowane do zastosowań w wymagających aplikacjach pracujących w przestrzeni kosmicznej oraz innych, wymagających podzespołów o podwyższonej niezawodności.
EPC7020 to tranzystor 200-woltowy o rezystancji RDS(on) równej 11 mΩ i dopuszczalnym prądzie drenu 39 A (170 A w impulsie). Jest on dostarczany w postaci struktury o powierzchni 4,6 x 2,6 mm. EPC7003 to tranzystor 100-woltowy o rezystancji 30 mΩ i dopuszczalnym prądzie 10 A (42 w impulsie), którego powierzchnia wynosi 1,7 x 1,1 mm. Oba modele są odporne na całkowitą dawkę napromieniowania >1000 K Rad(Si) i cząstki jonizujące (SEE LET) o energii do 83,7 MeV/mg/cm2 przy pracy z napięciem znamionowym. Podobnie, jak pozostałe tranzystory rodziny Rad Hard, są produkowane w postaci struktur chip-scale, natomiast producent planuje też wprowadzenie wersji obudowanych.
Ogólnie, tranzystory eGaN FET są tańsze niż odpowiedniki krzemowe w wersjach Rad Hard i bardziej odporne na promieniowanie. Mogą znaleźć zastosowanie w przetwornicach napięcia, układach napędowych i lidarach w sondach, satelitach niskoorbitalnych i awionice.
