1200-woltowe sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET i IGBT
Infineon dodaje do rodziny sterowników EiceDRIVER dwa nowe układy, przeznaczone do współpracy z tranzystorami SiC MOSFET i IGBT w aplikacjach napędowych o napięciu roboczym do 1200 V. Pozwalają one skrócić listę podzespołów i uprościć układ sterowania w instalacjach HVAC, pompach ciepła, serwonapędach, falownikach przemysłowych, pompach i wentylatorach o mocy do 10 kW.
2ED132xS12M, zamykany w obudowie DSO-16 300 mil, charakteryzuje się wydajnością prądową +2,3 A/-4,6 A. 2ED132xS12P jest zamykany w obudowie DSO-20 300 mil i zapewnia wydajność +2,3 A/-2,3 A. Oba układy zawierają niskorezystancyjną (30 Ω) diodę bootstrap, wejście Enable, wyjście sygnalizacji błędu (RFE) oraz szybki i precyzyjny (±5%) układ zabezpieczenia nadprądowego. Wariant 2ED132xS12M został dodatkowo wyposażony w aktywny układ Millera (AMC) i zabezpieczenie zwarciowe (SCC).
W najbliższym czasie w ofercie Infineon ma się też pojawić płytka ewaluacyjna.
|
|
Obudowa |
Wydajność prądowa |
Zabezpieczenia |
Zabezpieczenie cross-conduction |
Czas martwy |
Typ. tON/tOFF |
|
2ED1324S12P |
PG-DSO-20-U03 |
+2,3 A/-2,3 A |
OCP, AMC, SCC, RFE |
tak |
380 ns |
500 ns |
|
2ED1323S12P |
PG-DSO-20-U03 |
+2,3 A/-2,3 A |
nie |
- |
350 ns |
|
|
2ED1322S12M |
PG-DSO-16-U02 |
+2,3 A/-4,6 A |
OCP, RFE |
tak |
380 ns |
500 ns |
|
2ED1321S12M |
PG-DSO-16-U02 |
+2,3 A/-4,6 A |
nie |
- |
350 ns |
