650-woltowe diody Schottky'ego SiC o napięciu przewodzenia 1,2 V

Toshiba Electronics wprowadza na rynek serię 12 diod Schottky'ego, produkowanych na podłożu SiC, zaprojektowanych specjalnie do układów zasilania o dużej sprawności energetycznej. Nadają się one idealnie do zastosowań w zasilaczach impulsowych, stacjach ładowania i falownikach instalacji fotowoltaicznych. Są produkowane w procesie 3. generacji ze zoptymalizowaną strukturą złącza, pozwalającą zmniejszyć pole elektryczne i zredukować prąd upływu, co zapewnia mniejsze straty mocy.

Diody serii TRSxxx65H wykazują mniejsze o 17% napięcie przewodzenia od diod 2. generacji, wynoszące typowo 1,2 V. Pracują z maksymalnym ciągłym prądem przewodzenia 12 A (640 A w szczycie). Ich ładunek wewnętrzny wynosi od 17 nC, a prąd upływu od 1,1 µA (model TRS6E65H). W ofercie dostępnych jest 7 wariantów zamykanych w obudowach TO-220-2L i 5 zamykanych w niskoprofilowych obudowach DFN8x8.