Izolowany sterownik bramek tranzystorów GaN FET o dużej gęstości mocy
AHV85110 to nowy, izolowany sterownik bramek tranzystorów GaN FET, opracowany przez Allegro MicroSystems, charakteryzujący się dwukrotnie większą gęstością mocy od wcześniejszych odpowiedników. Jest on zamykany w 12-wyprowadzeniowej obudowie SMD o wymiarach 10 x 7,66 x 2,41 mm. W porównaniu z podobnymi sterownikami z oferty innych producentów, pozwala zmniejszyć nawet o połowę powierzchnię zajmowaną przez układ sterowania.
Inicjatywy wspierające produkcję "czystej" energii wymagają od projektantów zwiększania sprawności energetycznej systemów zasilania. Umożliwiają to tranzystory FET o szerokim paśmie zabronionym, produkowane w technologii SiC i GaN, ale problemem bywa ich integracja w systemie.
Tradycyjna implementacja sterownika bramki wymaga zastosowania zarówno izolowanego sterownika, jak i oddzielnego izolowanego zasilacza. Połączenia pomiędzy sterownikiem, źródłem zasilania i tranzystorem FET mogą powodować zaburzenia elektromagnetyczne, których eliminacja wydłuża czas projektowania oraz zwiększa koszty, wymiary i stopień złożoności projektu.
Opatentowany przez Allegro MicroSystems sterownik bramek AHV85110 z rodziny Power-Thru daje wiele zalet na poziomie systemowym, łącząc w jednej obudowie elementy, występujące najczęściej w postaci oddzielnych układów scalonych: izolowany sterownik bramki i izolowany układ zasilania. Mniejsza długość ścieżek na płytce drukowanej redukuje poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych i upraszcza integrację układu, skracając czas wprowadzania produktów na rynek i zmniejszając koszty produkcji.
Układ uzyskał kwalifikację AEC-Q100 Grade 2, pozwalającą na zastosowania w aplikacjach samochodowych i przemysłowych. Zapewnia izolację do 5 kV rms, zgodnie z wymogami normy UL 1577. Charakteryzuje się drogą upływu 8,4 mm i dużą odpornością na impulsy przepięciowe (CMTI > 100 V/ns). Jest odporny na wyładowania ESD do ±2 kV (HBM). Jest przystosowany do pracy w zakresie temperatury złącza od -40 do +125°C.
