Pamięci LPDDR4X SDRAM o napięciu pracy 0,6 V i częstotliwości taktowania do 1,86 GHz

Alliance Memory powiększa ofertę szybkich, energooszczędnych pamięci SDRAM CMOS o cztery nowe układy LPDDR4X 4. generacji: AS4C128M16MD4V-062BAN, AS4C256M16MD4V-062BAN, AS4C512M16MD4V-053BIN i AS4C512M32MD4V-053BIN o pojemności odpowiednio 2, 4, 8 i 16 Gb. Pobierają one mniejszą o połowę moc od układów LPDDR4. Są przeznaczone do zastosowań w przenośnych urządzeniach konsumenckich i przemysłowych. Mogą pracować z napięciem zasilania już od 0,6 V (podczas gdy dla pamięci LPDDR4 SDRAM jest to 1,1 V), co wydłuża czas pracy na baterii. Częstotliwość taktowania do 1,86 GHz, umożliwiająca osiągnięcie szybkości transmisji danych do 3,7 Gbps, pozwala na zastosowania w urządzeniach przesyłających obrazy o dużej rozdzielczości.

Wśród nowej oferty są też dostępne dwa warianty "samochodowe" AS4C128M16MD4V-062BAN i AS4C256M16MD4V-062BAN z kwalifikacją AEC-Q100, mogące pracować w temperaturze otoczenia od -40 do +105°C. Obsługują one mechanizm korekcji błędów ECC, zwiększający niezawodność transmisji danych. Warianty "przemysłowe" AS4C512M16MD4V-053BIN i AS4C512M32MD4V-053BIN są przystosowane do pracy w zakresie temperatury otoczenia od -40 do +85°C. Wewnętrzny czujnik temperatury służy do automatycznej regulacji częstotliwości odświeżania matrycy.

Ceny pamięci serii AS4CxxxM16MD4V wynoszą od 7,45 USD do 17,75 USD przy małych zamówieniach.