62-milimetrowy moduł TRENCHSTOP IGBT 1200 V o prądzie znamionowym zwiększonym do 800 A
Infineon powiększa rodzinę 1200-woltowych, 62-milimetrowych modułów TRENCHSTOP IGBT o nową wersję półmostkową FF800R12KE7 o prądzie znamionowym zwiększonym do 800 A. Daje on użytkownikom większą elastyczność podczas projektowania systemów wysokoprądowych oraz zapewnia dużą gęstość mocy. Może znaleźć wiele zastosowań m.in. w falownikach do instalacji fotowoltaicznych, zasilaczach UPS, napędach przemysłowych, stacjach ładowania pojazdów i systemach magazynowania energii. Do jego zalet należą też mniejsze straty statyczne w porównaniu z podobnymi modułami z chipsetem IGBT4, mniejsze oscylacje i odporność na temperaturę złącza do +175°C.
FF800R12KE7 zapewnia izolację do 4 kVAC (50 Hz, 60 s). Charakteryzuje się indukcyjnością resztkową 20 nH, rezystancją wewnętrzną 0,5 mΩ, drogą upływu 29 mm i odstępem izolacyjnym 23 mm. Jego wymiary wynoszą 106,4 x 61,4 x 30,5 mm.
