Wysokoprądowe 40-woltowe tranzystory GaN FET o dużej odporności na promieniowanie jonizujące

Do oferty firmy EPC wchodzą dwa wysokoprądowe, 40-woltowe tranzystory GaN FET w wersji rad-hard, charakteryzujące się zwiększoną odpornością na promieniowanie jonizujące. Zostały one zaprojektowane do zastosowań przede wszystkim w układach zasilania, pracujących w przestrzeni kosmicznej, np. w awionice oraz satelitach na orbitach okołoziemskich i geostacjonarnych.

Pomimo małych gabarytów, EPC7001 i EPC7002 mogą pracować z maksymalnym ciągłym prądem drenu do odpowiednio 60 A i 10 A, a ich dopuszczalny prąd impulsowy wynosi odpowiednio 250 A i 62 A. Są standardowo dostarczane w postaci struktur chip-scale o powierzchni 7 mm² i 1,87 mm², a opcjonalnie mogą być też produkowane w wersjach obudowanych. Zapewniają odporność na całkowitą dawkę napromieniowania do co najmniej 1000 K Rad(Si) oraz na cząstki jonizujące SEE LET o energii do 83,7 MeV/mg/cm² przy pracy z napięciem znamionowym.