650-woltowe tranzystory IGBT Trenchstop 7. generacji o małych stratach i dużej gęstości mocy

Infineon poszerza rodzinę tranzystorów IGBT Trenchstop 7. generacji o nowy wariant H7 o napięciu przebicia 650 V. Jest to tranzystor z wewnętrzną diodą antyrównoległą o łagodnej charakterystyce regeneracji, zrealizowaną w technologii EC7, charakteryzujący się mniejszymi stratami w porównaniu z wcześniejszymi wariantami oraz większą gęstością mocy. Nadaje się do zastosowań w falownikach fotowoltaicznych, systemach magazynowania energii, stacjach ładowania pojazdów, zasilaczach UPS i spawarkach. Może pracować przy temperaturze złącza sięgającej +175°C.

650-woltowe tranzystory IGBT Trenchstop H7 są produkowane w wariantach o dopuszczalnym prądzie przewodzenia od 40 do 150 A i zamykane w czterech wariantach obudów: TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus i TO-247-4 Plus. Wariant w obudowie TO-247-3 HCC wyróżnia się długą drogą upływu i dużym odstępem izolacyjnym. Z kolei tranzystory w standardowych 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247 charakteryzują się małymi stratami przełączania, przepięciami, stratami na przewodzenie i małymi prądami wstecznymi, co ułatwia projektowanie i eliminuje konieczność równoległego łączenia tranzystorów. Na tle innych tranzystorów o zbliżonych parametrach, wyróżniają się małym poziomem generowanych zaburzeń elektromagnetycznych.