Sterownik bramek tranzystorów GaN o bardzo krótkich czasach przełączania

Do oferty firmy Rohm Semiconductor wchodzi nowy sterownik bramek, oznaczony symbolem BD2311NVX-LB, zaprojektowany specjalnie do współpracy z szybkimi tranzystorami GaN. Jest to miniaturowy układ, zamykany w obudowie SSON o wymiarach 2,0 x 2,0 x 0,6 mm. Wyróżnia się wyjątkowo krótkimi czasami przełączania, co umożliwia generowanie impulsów wyjściowych o szerokości już od 1,25 ns. Dodatkowo, generuje małe przepięcia, na które są wrażliwe wejścia komponentów GaN.

BD2311NVX-LB pracuje z napięciem wejściowym 4,5...5,5 V i zapewnia wydajność prądową 7 A/5 A na liniach OUTH/OUTL. Jego czas włączania i wyłączania wynosi odpowiednio 3,4 ns i 3,0 ns, a czas narastania i opadania odpowiednio 0,65 ns i 0,7 ns (dla pojemności obciążenia 220 pF). Układ jest przystosowany do pracy w temperaturze otoczenia od -40 do +125°C, co pozwala na pracę również w środowiskach przemysłowych. Jego zakres zastosowań obejmuje m.in. konwertery AC-DC i DC-DC, wzmacniacze audio klasy D, systemy ładowania bezprzewodowego oraz LiDARy, w przypadku których krótszy czas trwania generowanych impulsów pozwala zwiększyć dokładność pomiaru.

Firma Rohm oferuje zestawy ewaluacyjne LiDARów ze sterownikiem BD2311NVX-LB, 150-woltowym tranzystorem EcoGaN i diodą laserową dużej mocy.