Podwójny 30-woltowy n-MOSFET w konfiguracji ze wspólnym drenem
Wraz z rosnącą popularnością standardu USB, na rynku pojawia się coraz więcej obsługujących go komponentów i urządzeń. Standard zasilania USB Power Delivery (USB PD) pokrywa obecnie zakres mocy od 15 W (5 V/3 A) do 240 W (48 V/5 A) i umożliwia zamianę strony zasilającej i odbiorczej. Wymaga to układów ładowania z obsługą pracy dwukierunkowej, korzystających z n-kanałowych tranzystorów MOSFET ze wspólnym drenem. Do tej pory w ofercie firmy Toshiba były dostępne tego typu komponenty, jednak wyłącznie w wersjach 12-woltowych, przeznaczonych głównie do ochrony akumulatorów litowo-jonowych w smartfonach. Nowo wprowadzony model 30-woltowy SSM10N961L może znaleźć zastosowanie m.in. do przełączania obciążenia w układach ładowania USB oraz do ochrony pakietów akumulatorów litowo-jonowych.
SSM10N961L zawiera dwa tranzystory n-MOSFET w konfiguracji ze wspólnym drenem, umożliwiające pracę dwukierunkową. Jego rezystancję źródło-źródło (RSS(ON)) ograniczono do zaledwie 9,9 mΩ. Układ może pracować z prądem przewodzenia do 9 A po zamontowaniu go na podłożu miedzianym o powierzchni 407 mm2 i grubości 18 µm. W przypadku podłoża 687,5 mm2/70 µm, dopuszczalny prąd przewodzenia wzrasta do 14 A. SSM10N961L jest produkowany w płaskiej obudowie TCSPAG-341501 o wymiarach 3,37 x 1,47 x 0,11 mm, co pozwala na zastosowania w aplikacjach o dużej gęstości upakowania podzespołów.
Łącząc SSM10N961L ze scalonym sterownikiem TCK42xG, można zrealizować obwód przełączający obciążenie z funkcją blokady przepływu zwrotnego lub multiplekser, przełączający tryby pracy Make-Before-Break i Break-Before-Make.
