1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET o stabilnej rezystancji RDS(on) w funkcji zmian temperatury

Nexperia rozpoczyna produkcję tranzystorów SiC MOSFET, wprowadzając na rynek dwa pierwsze modele o napięciu przebicia 1200 V. NSF040120L3A0 i NSF080120L3A0 są zamykane w 3-wyprowadzeniowych obudowach TO-247. Różnią się rezystancją R_DS(on), wynoszącą odpowiednio 40 mΩ i 80 mΩ. Wkrótce do oferty firmy mają wejść też kolejne warianty, zamykane w różnych typach obudów do montażu przewlekanego i SMT. Ich zakres zastosowań obejmuje stacje ładowania pojazdów elektrycznych (EV), zasilacze UPS oraz falowniki do instalacji fotowoltaicznych i systemów magazynowania energii.

R_DS(on) to krytyczny parametr tranzystorów MOSFET SiC, wpływający na straty przy przewodzeniu. Nexperia wykorzystuje innowacyjny proces technologiczny, pozwalający poprawić jego stabilność w funkcji temperatury. Dzięki niemu, wartość R_DS(on) wzrasta jedynie o 38% przy zmianie temperatury od +25°C do +175°C, znacznie mniej niż w przypadku wielu dostępnych na rynku tranzystorów z oferty innych producentów. Dodatkowe zalety tranzystorów produkcji Nexperia to:

• mały ładunek bramki, zmniejszający straty przy sterowaniu,
• mały stosunek ładunków Q_GD/Q_GS, zwiększający odporność na przypadkowe włączenie tranzystora wskutek działania parametrów resztkowych,
• mały rozrzut napięcia progowego V_GS(th) między poszczególnymi egzemplarzami, poprawiający parametry pracy przy łączeniu równoległym tranzystorów,
• mała napięcie przewodzenia wewnętrznej diody zabezpieczającej, zmniejszający straty i zwiększający niezawodność tranzystora.

W najbliższym czasie Nexperia planuje też wprowadzenie do oferty wariantów przeznaczonych do zastosowań w instalacjach samochodowych.