"Samochodowe" tranzystory MOSFET produkcji Panjit w ofercie Rutronik
W ofercie firmy Rutronik są obecnie dostępne 30- i 40-woltowe tranzystory MOSFET, produkcji tajwańskiej firmy Panjit, zaprojektowane do zastosowań w motoryzacji. Uzyskały one kwalifikację AEC-Q101. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C. Dzięki zastosowanej technologii Trench, zapewniają mały iloczyn rezystancji RDS(ON) i ładunku bramki, co przekłada się na małe straty mocy przy pracy impulsowej.
Tranzystory z nowej oferty mogą znaleźć zastosowanie w wielu podsystemach samochodowych, np. w pompach, układach sterowania silnikiem, systemach ADAS, systemach informacyjno-rozrywkowych i czujnikach. Występują w wariantach standardowych oraz przystosowanych do sterowania bezpośrednio z wyjść układów logicznych. Są zamykane w kilku rodzajach miniaturowych obudów, w tym DFN3333 i DFN5060-8L.
|
Oznaczenie |
Obudowa |
VDS |
VGS |
ID |
RDS(on) maks. |
Ciss typ. |
VGS(th) maks. |
QG typ. |
||
|
10 V |
7 V |
4,5 V |
10 V |
|||||||
|
PJQ4548P-AU |
DFN3333-8L |
40 V |
±20 V |
43 A |
9,1 mΩ |
- |
12,5 mΩ |
778 pF |
2,3 V |
13 nC |
|
PJQ4546P-AU |
DFN3333-8L |
64 A |
5,6 mΩ |
- |
7,9 mΩ |
1320 pF |
20 nC |
|||
|
PJQ5548-AU |
DFN5060-8L |
48 A |
8,8 mΩ |
- |
12,1 mΩ |
778 pF |
13 nC |
|||
|
PJQ5546-AU |
DFN5060-8L |
85 A |
5,3 mΩ |
- |
7,4 mΩ |
1320 pF |
20 nC |
|||
|
PJQ5544-AU |
DFN5060-8L |
130 A |
3,3 mΩ |
- |
4,3 mΩ |
2851 pF |
41 nC |
|||
|
PJQ5948-AU |
DFN5060B-8L |
37 A |
12,3 mΩ |
- |
15,7 mΩ |
778 pF |
13 nC |
|||
|
PJD80N04S-AU |
TO-252AA |
190 A |
2,1 mΩ |
- |
2,6 mΩ |
4950 pF |
75 nC |
|||
|
PJQ4548VP-AU |
DFN3333-8L |
40 A |
10,4 mΩ |
- |
- |
673 pF |
3,5 V |
9,5 nC |
||
|
PJQ4546VP-AU |
DFN3333-8L |
61 A |
6,3 mΩ |
- |
7,7 mΩ |
1283 pF |
23 nC |
|||
|
PJQ5548V-AU |
DFN5060-8L |
45 A |
10 mΩ |
12,4 mΩ |
- |
673 pF |
9,5 nC |
|||
|
PJQ5546V-AU |
DFN5060-8L |
79 A |
5,9 mΩ |
7,3 mΩ |
- |
1283 pF |
23 nC |
|||
|
PJQ5544V-AU |
DFN5060-8L |
120 A |
3,6 mΩ |
4,6 mΩ |
- |
2544 pF |
34 nC |
|||
|
PJQ5542V-AU |
DFN5060-8L |
136 A |
3 mΩ |
3,6 mΩ |
- |
3050 pF |
43 nC |
|||
