Sterownik bramek modułów SiC MOSFET i IGBT do 1700 V z szybkim zabezpieczeniem zwarciowym

Firma Power Integrations wprowadza na rynek nową rodzinę sterowników bramek do 62-milimetrowych modułów tranzystorowych SiC MOSFET i Si IGBT o napięciu znamionowym do 1700 V. Rozbudowane funkcje zabezpieczające zapewniają ich bezpieczną i niezawodną pracę. Pierwszy, dostępny już w ofercie, dwukanałowy model SCALE-2 2SP0230T2x0 zawiera zabezpieczenie zwarciowe o czasie reakcji poniżej 2 ms, zapewniające ochronę tranzystorów MOSFET przed nadmiernym natężeniem prądu. Funkcja AAC (advanced active clamping) zapewnia zabezpieczenie przed przepięciami, mogącymi występować podczas wyłączania. Elastyczna architektura 2SP0230T2x0 umożliwia wykorzystanie tego samego projektu układu sterowania do współpracy z tranzystorami SiC MOSFET i IGBT.

2SP0230T2x0 może znaleźć zastosowanie w przetwornicach napięcia, samochodowych stacjach ładowania i regulatorach napięcia STATCOM (STATic synchronous COMpensator) w energetyce. Jest zamykany w obudowie o powierzchni 134 x 62 mm. Zapewnia wzmocnioną izolację do 1700 V.