80- i 100-woltowe tranzystory klasy motoryzacyjnej do zastosowań w aplikacjach e-Mobility
Alpha and Omega Semiconductor dodaje do oferty tranzystorów MOSFET dwa nowe tranzystory n-kanałowe klasy motoryzacyjnej (z kwalifikacją AEC-Q101), mogące znaleźć zastosowanie w układach napędowych silników BLDC i układów zarządzania akumulatorami w aplikacjach e-Mobility. AOTL66810Q i AOTL66912Q charakteryzują się napięciem przebicia odpowiednio 80 V i 100 V. Oba są zamykane w jednakowych obudowach TOLL (TO-Leadless) o bardzo dużej gęstości prądu. Ich dopuszczalny ciągły prąd drenu wynosi odpowiednio 445 A i 370 A w temperaturze +25°C, a dopuszczalny prądu impulsowy to odpowiednio 1780 A i 1480 A.
AOTL66810Q i AOTL66912Q zajmują o 30% mniejszą powierzchnię montażową w porównaniu z odpowiednikami zamykanymi w obudowach TO-263 (D2PAK). Dzięki dużemu dopuszczalnemu natężeniu prądu drenu i małej rezystancji RDS(ON), pozwalają ograniczyć liczbę tranzystorów łączonych równolegle w aplikacjach wysokoprądowych. Są produkowane w zakładach z certyfikatem jakości IATF 16949.
|
|
VDS |
VGS |
Maks. ciągły prąd drenu |
Maks. chwilowy prąd drenu |
Maks. RDS(ON) @ VGS=10 V |
|
|
25°C |
100°C |
25°C |
||||
|
AOTL66810Q |
80 V |
±20 V |
445 A |
247 A |
1780 A |
1,25 mΩ |
|
AOTL66912Q |
100 V |
±20 V |
370 A |
269 A |
1480 A |
1,7 mΩ |
