Tranzystory CoolSiC MOSFET 2. generacji o zredukowanych o 10% stratach na przełączanie
Infineon wprowadza na rynek drugą generację tranzystorów CoolSiC MOSFET do systemów konwersji mocy, charakteryzujących się zredukow
anymi o 10% stratami na przełączanie. Występują one w wersjach o napięciu znamionowym 650 i 1200 V. Mogą znaleźć zastosowanie w fotowoltaice, systemach przechowywania energii, ładowarkach, układach napędowych i zasilaczach przemysłowych dużej mocy.
W ramach rodziny CoolSiC MOSFET G2 dostępnych jest obecnie kilkanaście typów tranzystorów, zamykanych w obudowach TO-263-7, PG-TO263-7, PG-TO247-4 i PG-TO247-3 o rezystancji termicznej RthJC wynoszącej już od 0,19 K/W. Są one przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia od -55 do +175°C. Charakteryzują się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu do 238 A i rezystancją RDS(ON) od 6,7 mΩ (model IMBG65R007M2H, 650 V, PG-TO263-7, RthJC=0,19 K/W).
