100-woltowe diody Schottky'ego o krótkim czasie regeneracji ze strukturą Trench MOS

Do oferty firmy Rohm wchodzi nowa seria diod Schottky'ego, produkowanych w procesie Trench MOS, charakteryzujących się napięciem przebicia 100 V i krótkim czasem regeneracji. Są one polecane do zastosowań m.in. w szybkich układach impulsowych oraz układach zabezpieczających.

Struktura Trench MOS jest wytwarzana poprzez utworzenie polikrzemowego rowka w epitaksjalnej warstwie płytki w celu zmniejszenia koncentracji pola elektrycznego. Zmniejsza to rezystancję warstwy epitaksjalnej, redukując VF po przyłożeniu napięcia w kierunku przewodzenia. Jednocześnie, podczas polaryzacji zaporowej, natężenie pola elektrycznego jest minimalizowane, redukując IR. Dzięki temu, diody serii YQ ograniczają wartości VF i IR o odpowiednio 7% i 82% w porównaniu do diod konwencjonalnych.

Dzięki zastosowaniu struktury Trench MOS, diody Schottky'ego wykazują mniejsze napięcie przewodzenia od diod planarnych, co pozwala uzyskać większą sprawność energetyczną w układach prostowników. Jednak wadą jest w tym przypadku długi czas regeneracji, powodujący duże straty w układach impulsowych. Dzięki odpowiednim technikom konstrukcyjnym, w nowych diodach serii YQ udało się zmniejszyć napięcie przewodzenia przy zachowaniu krótkiego czasu regeneracji na poziomie około 15 ns, co stanowi redukcję średnio o 37% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników i zmniejsza straty przy przełączaniu o około 26%. Równocześnie, diody serii YQ są mniej podatne na niekontrolowany wzrost temperatury (thermal runaway) niż inne diody Schottky'ego, co pozwala na ich zastosowania np. w reflektorach samochodowych.

Nowa oferta obejmuje kilkanaście typów diod o napięciu przebicia 100 V i dopuszczalnym prądzie przewodzenia od 1 do 30 A. Są one zamykane w 6 wariantach obudów, od chipowych PMDE rozmiaru 2513 (1005) po TO-263AB. Charakteryzują się napięciem VF już od 0,64 V w przypadku 3-amperowego modelu YQ3LAM10DTF. Większość z nich może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C. Dostępne są wariant standardowe oraz z kwalifikacją AEC-Q101.

Wybrane modele diod SBR Trench MOS nowej serii YQ

 

VRM

IO

Tj maks.

VF maks. @ 25°C

IR maks. @ 25°C, VR=100 V

Obudowa

YQ1VWM10A

100 V

1 A

+175°C

0,7 V @ 1 A

6 µA

PMDE

2513 [1005]

YQ2VWM10B

2 A

0,77 V @ 2 A

10 µA

YQ2MM10A

2 A

0,77 V @ 2 A

10 µA

SOD-123FL

3516 [1408]

YQ3MM10B

3 A

0,77 V @ 3 A

15 µA

YQ2LAM10B

2 A

0,67 V @ 2 A

15 µA

SOD-128

4725 [1910]

YQ5LAM10E

5 A

0,61 V @ 5 A

50 µA

YQ3RSM10SD

3 A

0,64 V @ 3 A

30 µA

TO-277A

6546 [2618]

YQ15RSM10SD

15 A

0,68 V @ 15 A

100 µA

YQ20BGE10SD

20 A

+150°C

0,86 V @ 20 A

80 µA

TO-252AA

10066 [3926]

YQ20NL10SD

20 A

0,96 V @ 20 A

70 µA

TO-263AB

151101 [5940]

YQ60NL10CD

60 A

0,77 V @ 30 A

200 µA

Zapytania ofertowe
100-woltowe diody Schottky'ego o krótkim czasie regeneracji ze strukturą Trench MOS
Zapytanie ofertowe