100-woltowe diody Schottky'ego o krótkim czasie regeneracji ze strukturą Trench MOS
Do oferty firmy Rohm wchodzi nowa seria diod Schottky'ego, produkowanych w procesie Trench MOS, charakteryzujących się napięciem przebicia 100 V i krótkim czasem regeneracji. Są one polecane do zastosowań m.in. w szybkich układach impulsowych oraz układach zabezpieczających.
Struktura Trench MOS jest wytwarzana poprzez utworzenie polikrzemowego rowka w epitaksjalnej warstwie płytki w celu zmniejszenia koncentracji pola elektrycznego. Zmniejsza to rezystancję warstwy epitaksjalnej, redukując VF po przyłożeniu napięcia w kierunku przewodzenia. Jednocześnie, podczas polaryzacji zaporowej, natężenie pola elektrycznego jest minimalizowane, redukując IR. Dzięki temu, diody serii YQ ograniczają wartości VF i IR o odpowiednio 7% i 82% w porównaniu do diod konwencjonalnych.
Dzięki zastosowaniu struktury Trench MOS, diody Schottky'ego wykazują mniejsze napięcie przewodzenia od diod planarnych, co pozwala uzyskać większą sprawność energetyczną w układach prostowników. Jednak wadą jest w tym przypadku długi czas regeneracji, powodujący duże straty w układach impulsowych. Dzięki odpowiednim technikom konstrukcyjnym, w nowych diodach serii YQ udało się zmniejszyć napięcie przewodzenia przy zachowaniu krótkiego czasu regeneracji na poziomie około 15 ns, co stanowi redukcję średnio o 37% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników i zmniejsza straty przy przełączaniu o około 26%. Równocześnie, diody serii YQ są mniej podatne na niekontrolowany wzrost temperatury (thermal runaway) niż inne diody Schottky'ego, co pozwala na ich zastosowania np. w reflektorach samochodowych.
Nowa oferta obejmuje kilkanaście typów diod o napięciu przebicia 100 V i dopuszczalnym prądzie przewodzenia od 1 do 30 A. Są one zamykane w 6 wariantach obudów, od chipowych PMDE rozmiaru 2513 (1005) po TO-263AB. Charakteryzują się napięciem VF już od 0,64 V w przypadku 3-amperowego modelu YQ3LAM10DTF. Większość z nich może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C. Dostępne są wariant standardowe oraz z kwalifikacją AEC-Q101.
Wybrane modele diod SBR Trench MOS nowej serii YQ |
||||||
|
VRM |
IO |
Tj maks. |
VF maks. @ 25°C |
IR maks. @ 25°C, VR=100 V |
Obudowa |
YQ1VWM10A |
100 V |
1 A |
+175°C |
0,7 V @ 1 A |
6 µA |
PMDE 2513 [1005] |
YQ2VWM10B |
2 A |
0,77 V @ 2 A |
10 µA |
|||
YQ2MM10A |
2 A |
0,77 V @ 2 A |
10 µA |
SOD-123FL 3516 [1408] |
||
YQ3MM10B |
3 A |
0,77 V @ 3 A |
15 µA |
|||
YQ2LAM10B |
2 A |
0,67 V @ 2 A |
15 µA |
SOD-128 4725 [1910] |
||
YQ5LAM10E |
5 A |
0,61 V @ 5 A |
50 µA |
|||
YQ3RSM10SD |
3 A |
0,64 V @ 3 A |
30 µA |
TO-277A 6546 [2618] |
||
YQ15RSM10SD |
15 A |
0,68 V @ 15 A |
100 µA |
|||
YQ20BGE10SD |
20 A |
+150°C |
0,86 V @ 20 A |
80 µA |
TO-252AA 10066 [3926] |
|
YQ20NL10SD |
20 A |
0,96 V @ 20 A |
70 µA |
TO-263AB 151101 [5940] |
||
YQ60NL10CD |
60 A |
0,77 V @ 30 A |
200 µA |