Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC

Do oferty Infineon wchodzi seria tranzystorów CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V, zamykanych w obudowach TO-247PLUS-4-HCC o odstępie izolacyjnym 5,4 mm i drodze upływu 14 mm. Pomimo zwiększonej gęstości mocy w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami, są one równie niezawodne w zakresie dużych napięć i częstotliwości roboczych. Dzięki małym stratom przy pracy impulsowej, doskonale nadają się do zastosowań w instalacjach fotowoltaicznych, systemach przechowywania energii i stacjach ładowania.

W ramach serii IMYH200RxxxM1H dostępnych jest obecnie 5 tranzystorów n-kanałowych o rezystancji RDS(ON) od 12 do 100 mΩ i dopuszczalnym prądzie drenu od 26 do 123 A. Wszystkie charakteryzują się napięciem progowym bramki 4,5 V i szerokim zakresem temperatury pracy od -55 do +175°C. Zawierają wewnętrzną diodę zabezpieczającą, istotną w aplikacjach hard-switching. Producent oferuje do nich płytkę ewaluacyjną (ozn. EVAL-COOLSIC-2KVHCC).

 

VDS (maks.)

RDS(ON) @ +25°C

ID maks. @ +25°C

Zakres temp. pracy

Obudowa

IMYH200R100M1H

2000 V

100 A

26 A

-55...+175°C

TO-247PLUS-4-HCC

IMYH200R075M1H

75 A

34 A

IMYH200R050M1H

50 A

48 A

IMYH200R024M1H

24 A

89 A

IMYH200R012M1H

12 A

123 A

Zapytania ofertowe
Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC
Zapytanie ofertowe