Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC
Do oferty Infineon wchodzi seria tranzystorów CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V, zamykanych w obudowach TO-247PLUS-4-HCC o odstępie izolacyjnym 5,4 mm i drodze upływu 14 mm. Pomimo zwiększonej gęstości mocy w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami, są one równie niezawodne w zakresie dużych napięć i częstotliwości roboczych. Dzięki małym stratom przy pracy impulsowej, doskonale nadają się do zastosowań w instalacjach fotowoltaicznych, systemach przechowywania energii i stacjach ładowania.
W ramach serii IMYH200RxxxM1H dostępnych jest obecnie 5 tranzystorów n-kanałowych o rezystancji RDS(ON) od 12 do 100 mΩ i dopuszczalnym prądzie drenu od 26 do 123 A. Wszystkie charakteryzują się napięciem progowym bramki 4,5 V i szerokim zakresem temperatury pracy od -55 do +175°C. Zawierają wewnętrzną diodę zabezpieczającą, istotną w aplikacjach hard-switching. Producent oferuje do nich płytkę ewaluacyjną (ozn. EVAL-COOLSIC-2KVHCC).
|
VDS (maks.) |
RDS(ON) @ +25°C |
ID maks. @ +25°C |
Zakres temp. pracy |
Obudowa |
IMYH200R100M1H |
2000 V |
100 A |
26 A |
-55...+175°C |
TO-247PLUS-4-HCC |
IMYH200R075M1H |
75 A |
34 A |
|||
IMYH200R050M1H |
50 A |
48 A |
|||
IMYH200R024M1H |
24 A |
89 A |
|||
IMYH200R012M1H |
12 A |
123 A |