n-kanałowe tranzystory MOSFET o dopuszczalnym prądzie impulsowym do 1050 A
XPQR8308QB i XPQ1R00AQB to n-kanałowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia odpowiednio 80 V i 100 V, przeznaczone do zastosowań w 48-woltowych instalacjach samochodowych. Zostały one wyprodukowane w nowym procesie technologicznym U-MOS X-H, zapewniającym małą rezystancję RDS(ON). Pracują z dopuszczalnym ciągłym prądem drenu wynoszącym odpowiednio 350 A i 300 A, natomiast wyróżniają się dużym prądem impulsowym (1050 A i 900 A).
Oba tranzystory są produkowane w obudowach L-TOGL o bardzo dobrych parametrach termicznych. Ich rezystancja Rth(ch-c) została zredukowana o połowę w porównaniu z tranzystorami o zbliżonych parametrach elektrycznych, zamykanymi w standardowych obudowach TO-220SM(W). Zaletą obudów L-TOGL są ponadto wyprowadzenia typu gull-wing, zmniejszające naprężenia termiczne.
XPQR8308QB i XPQ1R00AQB są polecane do zastosowań w instalacjach samochodowych, w tym falownikach trakcyjnych, systemach zarządzania akumulatorem, przełącznikach obciążenia i generatorach ISG. Ponieważ w tego typu aplikacjach często stosuje się równoległe połączenie kilku tranzystorów, niezbędne jest dobre dopasowanie ich charakterystyk prądowo-napięciowych. Z tego względu Toshiba oferuje tranzystory XPQR8308QB i XPQ1R00AQB pogrupowane w pakiety, dla których różnice napięcia sterowania bramką nie przekraczają 0,4 V.
