40-woltowe tranzystory MOSFET OptiMOS firmy Infineon w nowych obudowach SSO10T TSC
Nowa obudowa SSO10T TSC (top-side cooling), opracowana przez firmę Infineon, pozwala na realizację tranzystorów MOSFET OptiMOS o bardzo dobrych parametrach termicznych i dużej gęstości mocy. Ze względu na odprowadzanie 95% ciepła przez górną powierzchnię obudowy, zapewnia znacznie mniejsze nagrzewanie płytki drukowanej i pozwala zredukować koszty chłodzenia.
Obudowa SSO10T TSC została zaprojektowana z myślą o elektronice samochodowej. Obecnie są w niej produkowane cztery pierwsze typy tranzystorów o napięciu przebicia 40 V: IAUCN04S6N007T, IAUCN04S6N009T, IAUCN04S6N013T i IAUCN04S6N017T, mogące znaleźć zastosowanie w układach wspomagania kierownicy, układach sterowania silnikami BLDC, przełącznikach bezpieczeństwa, przetwornicach DC-DC oraz układach zabezpieczających przed odwróceniem polaryzacji zasilania.
Obudowy SSO10T TSC charakteryzują się powierzchnią 7 x 5 mm. Bazują na standardowych obudowach SSO8 o powierzchni 6 x 5 mm. Konstrukcja typu top-side cooling, w zależności od rodzaju i grubości materiału użytego do przewodzenia ciepła, zapewnia mniejszą o 20%...50% rezystancję termiczną. Do najważniejszych zalet należy mała powierzchnia montażowa, możliwość realizacji tranzystorów o dużej gęstości mocy, a także brak konieczności stosowania przelotek i związane z tym mniejsze koszty produkcyjne.
Tranzystory IAUCN04S6N007T, IAUCN04S6N009T, IAUCN04S6N013T i IAUCN04S6N017T charakteryzują się maksymalną rezystancją RDS(ON) wynoszącą odpowiednio 0,75 mΩ, 0,90 mΩ, 1,32 mΩ i 1,73 mΩ. Mogą pracować z maksymalnym prądem drenu 120 A @ +25°C.
