Superzłączowe tranzystory MOSFET 600/650 V do elektroniki samochodowej
STMicroelectronics wprowadza na rynek kolejną serię superzłączowych tranzystorów MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101 do samochodowych ładowarek OBC oraz konwerterów DC-DC o topologii hard- i soft-switching. Wykazują one bardzo małą rezystancję RDS(ON) w przeliczeniu na powierzchnię krzemu i bardzo mały ładunek bramki, co redukuje straty przy pracy impulsowej. W porównaniu z odpowiednikami wcześniejszej generacji, najnowsza technologia MDmesh DM9 pozwoliła zawęzić tolerancję napięcia VGS(th), w wyniku czego nowe tranzystory charakteryzują się bardziej stromymi zboczami sygnału, pozwalającymi zredukować straty przy włączaniu i wyłączaniu.
W ramach serii STPOWER MDmesh DM9 AG będą produkowane tranzystory o napięciu przebicia 600 i 650 V, zamykane w kilku wariantach obudów, w tym TO-247 LL (long-lead) do montażu THT oraz H2PAK-2, H2PAK-7, HU3PAK i ACEPACK SMIT do montażu SMT.
Pierwszy, dostępny już model n-kanałowy STH60N099DM9-2AG o napięciu 600 V, charakteryzuje się dopuszczalnym prądem drenu 27 A i rezystancją RDS(ON) równą 76 mΩ. Jest on zamykany w obudowie H2PAK-2. W najbliższym czasie do oferty mają wejść kolejne tranzystory o zakresie RDS(ON) od 23 do 150 mΩ.
Ceny hurtowe STH60N099DM9-2AG zaczynają się od 4,98 USD.
