Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o rezystancji RDS(ON) od 95 mΩ

Alpha and Omega Semiconductor prezentuje dwa superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny αMOS5 o napięciu przebicia 600 V i małej rezystancji RDS(ON). Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach korekcji PFC i małostratnych konwerterach DC-DC LLC i PSFB w instalacjach fotowoltaicznych, ładowarkach akumulatorów, układach napędowych i systemach przechowywania energii. Zawierają wewnętrzne diody zabezpieczające m.in. przed zwarciem i dużymi impulsami prądowymi. Mogą pracować w konwerterach o topologii hard- i soft-switching.

AOK095A60FD i AOTF125A60FDL są zamykane w obudowach odpowiednio TO-247 i TO-220F. Charakteryzują się rezystancją RDS(ON) odpowiednio 95 mΩ i 125 mΩ. W przeprowadzonych testach wykazały dużą odporność na szybkie impulsy przepięciowe, nawet przy temperaturze złącza równej +150°C. Ich energia wyłączania (Eoff) jest znacznie mniejsza niż w przypadku podobnych tranzystorów z oferty innych producentów, co pozwala osiągnąć dużą sprawność energetyczną w zakresie małych i średnich obciążeń.

Ceny hurtowe AOK095A60FD i AOTF125A60FDL wynoszą odpowiednio 3,75 USD i 3,22 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.

 

AOK095A60FD

AOTF125A60FDL

BVDSS

min. 600 V (ID=250 μA, VGS=0 V, TJ=+25°C)

typ. 700 V (ID=10 mA, VGS=0 V, TJ=+150°C)

ID (+25°C/+100°C)

30 A/20 A

14 A/8 A

IDM

120 A

56 A

QG

83 nC

48 nC

Eoff @ 400V

8,1 µJ

6,8 µJ

PD (+25°C)

245 W

52 W

VGS(th) (VDS=5 V, ID=250 µA)

3,35 V

3,45 V

Ciss

4050 pF

3060 pF

Coss

105 pF

90 pF

Zapytania ofertowe
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o rezystancji RDS(ON) od 95 mΩ
Zapytanie ofertowe