650-woltowe tranzystory IGBT do zasilaczy impulsowych i układów korekcji PFC

Tranzystory IGBT serii BID, łączące zalety bramki MOS i tranzystora bipolarnego, nadają się idealnie do zastosowań w aplikacjach wysokoprądowych i wysokonapięciowych. Zaawansowana tu technologia produkcji Trench-Gate Field-Stop, zapewnia bardzo dobrą kontrolę charakterystyk dynamicznych, pozwalając na zredukowanie napięcia nasycenia VCE(sat) i zmniejszenie strat na przełączanie. Dodatni współczynnik temperaturowy napięcia VCE(sat) i mały rozrzut parametrów, zwiększają bezpieczeństwo pracy w przypadku łączenia równoległego tranzystorów.

Nowa oferta obejmuje 4 typy tranzystorów o napięciu VCE równym 650 V i prądzie przewodzenia od 40 do 75 A @ +100°C. Wszystkie są zamykane w obudowach TO-247-3L. Mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od -40 do +175°C. Charakteryzują się napięciem VCE(sat) od 1,35 do 1,65 V. Ich zakres zastosowań obejmuje głównie zasilacze impulsowe i UPS oraz układy korekcji PFC.

 

VCE

Ic

(+100°C)

ICP

VCE(sat)

(Vge=15 V)

IF

(+100°C)

CIES/COES

QG

td(on)/td(off)

tr/tf

BIDW40N65H5

650 V

40 A

120 A

1,65 V

20 A

3150/63 pF

111 nC

28/116 ns

80/98 ns

BIDW40N65ES5

650 V

40 A

160 A

1,35 V

40 A

2856/82 pF

107 nC

28/150 ns

26/36 ns

BIDW75N65EH5

650 V

75 A

300 A

1,65 V

75 A

4829/132 pF

186 nC

39/186 ns

44/38 ns

BIDW75N65ES5

650 V

75 A

300 A

1,42 V

75 A

4823/131 pF

185 nC

35/194 ns

39/35 ns

 

Zapytania ofertowe
650-woltowe tranzystory IGBT do zasilaczy impulsowych i układów korekcji PFC
Zapytanie ofertowe