650-woltowe tranzystory IGBT do zasilaczy impulsowych i układów korekcji PFC
Tranzystory IGBT serii BID, łączące zalety bramki MOS i tranzystora bipolarnego, nadają się idealnie do zastosowań w aplikacjach wysokoprądowych i wysokonapięciowych. Zaawansowana tu technologia produkcji Trench-Gate Field-Stop, zapewnia bardzo dobrą kontrolę charakterystyk dynamicznych, pozwalając na zredukowanie napięcia nasycenia VCE(sat) i zmniejszenie strat na przełączanie. Dodatni współczynnik temperaturowy napięcia VCE(sat) i mały rozrzut parametrów, zwiększają bezpieczeństwo pracy w przypadku łączenia równoległego tranzystorów.
Nowa oferta obejmuje 4 typy tranzystorów o napięciu VCE równym 650 V i prądzie przewodzenia od 40 do 75 A @ +100°C. Wszystkie są zamykane w obudowach TO-247-3L. Mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od -40 do +175°C. Charakteryzują się napięciem VCE(sat) od 1,35 do 1,65 V. Ich zakres zastosowań obejmuje głównie zasilacze impulsowe i UPS oraz układy korekcji PFC.
|
VCE |
Ic (+100°C) |
ICP |
VCE(sat) (Vge=15 V) |
IF (+100°C) |
CIES/COES |
QG |
td(on)/td(off) |
tr/tf |
BIDW40N65H5 |
650 V |
40 A |
120 A |
1,65 V |
20 A |
3150/63 pF |
111 nC |
28/116 ns |
80/98 ns |
BIDW40N65ES5 |
650 V |
40 A |
160 A |
1,35 V |
40 A |
2856/82 pF |
107 nC |
28/150 ns |
26/36 ns |
BIDW75N65EH5 |
650 V |
75 A |
300 A |
1,65 V |
75 A |
4829/132 pF |
186 nC |
39/186 ns |
44/38 ns |
BIDW75N65ES5 |
650 V |
75 A |
300 A |
1,42 V |
75 A |
4823/131 pF |
185 nC |
35/194 ns |
39/35 ns |