650-woltowe tranzystory n-MOSFET z szybką diodą regeneracyjną

Toshiba dodaje do oferty kolejną serię 650-woltowych tranzystorów MOSFET z szybką diodą regeneracyjną, produkowanych w najnowszym procesie technologicznym DTMOS VI. Są to tranzystory n-kanałowe ze strukturą superzłączową, polecane do zastosowań przede wszystkim w zasilaczach impulsowych. Obecnie dostępne są dwa pierwsze modele, TK042N65Z5 i TK095N65Z5, zamykane w obudowach TO-247. W porównaniu ze standardowymi tranzystorami DTMOS VI, wykazują one krótszy o 65% czas regeneracji (t_rr), wynoszący odpowiednio 160 ns i 115 ns, natomiast w porównaniu ze standardowymi tranzystorami MOSFET z oferty Toshiba, jest on krótszy o 88%. Dodatkowo, oba modele wykazują bardzo mały iloczyn R_DS(ON) * Q_gd, mniejszy o 72% niż w przypadku wprowadzonego wcześniej na rynek tranzystora TK62N60W5, co w dużym stopniu zmniejsza straty przy pracy impulsowej i zwiększa sprawność energetyczną. Dla porównania, 1,5-kilowatowy konwerter LLC, zrealizowany na bazie TK042N65Z5 pozwala zwiększyć sprawność zasilacza o 0,4% w porównaniu z identycznym obwodem zrealizowanym na bazie TK62N60W5.

TK042N65Z5 i TK095N65Z5 charakteryzują się rezystancją R_DS(ON) odpowiednio 42 mΩ i 95 mΩ i dopuszczalnym prądem drenu odpowiednio 55 A i 29 A. Firma Toshiba oferuje projekt referencyjny zasilacza serwerowego o mocy 1,6 kW, zrealizowanego na tranzystorze TK095N65Z5 oraz dostarcza modele elektryczne obu tranzystorów w formatach SPICE G0 i G2.