600-woltowe tranzystory MOSFET serii E o bardzo małym współczynniku FOM

Do oferty firmy Vishay trafiła w ostatnim czasie nowa seria 600-woltowych tranzystorów MOSFET o bardzo małym współczynniku FOM (R_DS(ON)*Q_g), zaprojektowanych do zastosowań w układach zasilania. Tranzystory 4. generacji serii E są zamykane w obudowach PowerPAK 8 x 8LR Top-Side Cooling o wymiarach 8,0 x 1,65 x 0,42 mm, pozwalających uzyskać większą gęstość mocy w stosunku do obudów D²PAK przy równoczesnej redukcji strat na przewodzenie i przełączanie oraz redukcji powierzchni montażowej o 50,8% i wysokości o 66%.

W porównaniu z odpowiednikami poprzedniej generacji, nowy n-kanałowy model SiHR080N60E wykazuje mniejszą o 27% rezystancję R_DS(ON) i mniejszy o 60% współczynnik FOM, a dodatkowo może pracować z większym dopuszczalnym prądem drenu przy mniejszej powierzchni obudowy. Konstrukcja typu Top-Side Cooling pozwoliła zmniejszyć rezystancję termiczną złącze-obudowa do zaledwie 0,25 °C/W, co z kolei umożliwia pracę z większym o 46% prądem drenu niż w przypadku w porównaniu z tranzystorami o tej samej rezystancji drenu, zamykanymi w obudowach D²PAK. Dodatkową zaletą są wyprowadzenia typu gull-wing, dobrze kompensujące naprężenia mechaniczne występujące wskutek cyklicznych zmian temperatury.

Ważniejsze dane techniczne SiHR080N60E:

• V_DS maks.: 600 V,
• V_GS maks.: ±30 V,
• I_D maks.: 51 A @ +25°C (32 A @ +100°C),
• R_DS(ON): 0,074 Ω @ 10 V,
• Q_g: 42 nC,
• C_o(er): 79 pF,
• C_o(tr): 499 pF,
• E_AS: 173 mJ.