Szybkie 16- i 32-gigabitowe pamięci LPDDR4X SDRAM o częstotliwości taktowania 2,133 GHz

Firma Alliance Memory rozszerza ofertę szybkich pamięci SDRAM CMOS o nowe pamięci LPDDR4X o pojemności 16 Gb i 32 Gb, łączące energooszczędną pracę ze zwiększoną częstotliwością taktowania.

AS4C512M32MD4V-046BIN (16 Gb) i AS4C1G32MD4V-046BIN (32 Gb) to 32-bitowe pamięci zaprojektowane do zastosowań w urządzeniach przenośnych z sektora konsumenckiego i przemysłowego, wykorzystujących komunikację 5G i sztuczną inteligencję. Charakteryzują się szerokim zakresem dopuszczalnej temperatury pracy od -40 do +95°C. Pracują z potrójnym napięciem zasilania 1,8 V/1,1 V/0,6 V (VDD1/VDD2/VDDQ). Mogą być taktowane zegarem o częstotliwości do 2,133 GHz, zapewniając przepustowość do 4,2 Gbps. Zawierają czujnik temperatury, wykorzystywany do kontroli częstotliwości odświeżania matrycy. Oba układy są zamykane w obudowach FBGA (15 x 10 x 1 mm) o 200 polach kontaktowych, kompatybilnych pod względem rozkładu wyprowadzeń z wcześniejszymi wariantami o mniejszej pojemności i mniejszej częstotliwości taktowania.