Serię AG16xFNxx stanowią tranzystory MOSFET, które cechuje napięcie "dren-źródło" VDS=80 V. Podzespoły, których producentem jest firma ROHM Semiconductor, stworzono z myślą o działaniu m.in. w samochodowych instalacjach zasilania 48 V, pompach cieczy, falownikach czy sterownikach silników elektrycznych. Dostępnymi obudowami są: HPLF5060 o wymiarach: 4,9×6 mm, oraz DFN3333 o wymiarach: 3,3×3,3 mm. Pierwsza z nich wyposażona jest w wyprowadzenia typu Gull-Wing. Natomiast druga wykorzystuje modyfikację Wettable Flank umożliwiającą kontrolę wizualną połączeń lutowanych (AOI).
Odprowadzanie ciepła zostało poprawione, dzięki połączeniu struktury półprzewodnikowej tranzystorów z wyprowadzeniami za pośrednictwem mostków z miedzi zamiast klasycznych drutów. Takie rozwiązanie gwarantuje przewodzenie wysokich prądów, przy jednoczesnym zachowaniu parametrów pracy. Seria tranzystorów AG16xFNxx spełnia również wymagania normy AEC-Q101, charakteryzując się: obniżonym poziomem strat mocy oraz wysoką jakością wykonania, w efekcie czego spełnia ona oczekiwania projektantów systemów, które znajdują zastosowania w aplikacjach zarówno motoryzacyjnych, jak i przemysłowych.
Więcej na: www.rohm.com
