Energooszczędne, 1200-woltowe diody Schottky'ego na podłożach SiC

Do oferty firmy Vishay wchodzi 16 nowych diod Schottky'ego 3. generacji, produkowanych na podłożach SiC. Są to diody o napięciu znamionowym 1200 V, charakteryzujące się małym prądem wstecznym (2,5 µA @ 25°C) i małą pojemnością wewnętrzną, od 28 nC. Występują w wersjach pojedynczych i podwójnych ze wspólną katodą o prądzie znamionowym od 5 A do 2 x 20 A, zamykanych w obudowach TO-220AC 2L, TO-247AD 2L, TO-247AD 3L i D²PAK 2L (TO-263AB 2L). Ich struktura MPS (merged PIN Schottky) o małej grubości podłoża, uzyskanej dzięki wyżarzaniu laserowemu, pozwala obniżyć napięcie przewodzenia do zaledwie 1,35 V.

Diody 3. generacji, w odróżnieniu od wariantów ultraszybkich, nie wykazują tzw. "ogona" przy wyłączaniu (recovery tail), co zwiększa ich sprawność energetyczną. Mogą znaleźć zastosowanie w układach korekcji PFC zasilaczy, konwerterach DC-DC, systemach przechowywania energii i układach napędowych. Pracują w zakresie temperatury złącza do +175°C. Są odporne na impulsy prądowe nawet do 260 A. Przeszły test wytrzymałościowy HTRB (higher temperature reverse bias) o długości 2000 godzin oraz test 2000 cykli termicznych. Występują w wersjach pojedynczych i podwójnych ze wspólną katodą.