Tranzystory OptiMOS 6 w wersjach o napięciu przebicia 135 V i 150 V
Do oferty firmy Infineon wchodzą nowe tranzystory MOSFET rodziny OptiMOS 6 o napięciach przebicia 135 V i 150 V. Uzupełniają one wcześniejszą ofertę odpowiedników 120-woltowych, poszerzając zakres potencjalnych zastosowań m.in. o serwerowe zasilacze impulsowe, ładowarki o większej mocy, wózki widłowe i zasilacze UPS. W porównaniu ze 150-woltowymi tranzystorami wcześniejszej rodziny OptiMOS 5, zapewniają nawet dwukrotnie mniejszą rezystancję RDS(ON) i mniejszy o 20% współczynnik FOM. Ponadto, wewnętrzna dioda zabezpieczający wykazuje mniejszy do 60% ładunek Qrr, a w konsekwencji mniejsze oscylacje i przepięcia przy pracy impulsowej.
Nowe tranzystory OptiMOS 6 są produkowane w kilku wariantach obudów, w tym TO-220, 3- i 7-wyprowadzeniowych D2PAK, TOLL, TOLG, TOLT, SuperSO8 (6 x 5 mm) i PQFN (3,3 x 3,3 mm).
