1200-woltowe diody Schottky'ego SiC o napięciu przewodzenia 1,27 V

Oferta podzespołów firmy Toshiba, produkowanych na podłożach SiC, powiększyła się o serię 1200-woltowych diod Schottky'ego TRSxxx120Hx, wyróżniających się małym napięciem przewodzenia na poziomie 1,27 V. Na rynek wchodzi 10 nowych typów diod 3. generacji, zamykanych w dwóch typach obudów: TO-247-2L i TO-247. Są one polecane do zastosowań w falownikach fotowoltaicznych, stacjach ładowania i zasilaczach impulsowych. Największy spośród nich model TRS40N120H może pracować z maksymalnym ciągłym prądem przewodzenia 102 A @ 25°C i maksymalnym prądem impulsowym 270 A (10 ms, 25°C). Charakteryzuje się małym ładunkiem wewnętrznym, wynoszącym typowo 220 nC i małym prądem wstecznym (3,6 µA). W ramach serii TRSxxx120Hx produkowane są też diody prądach znamionowych 10, 15, 20 i 30 A.