Sterowniki bramek tranzystorów IGBT i MOSFET o dopuszczalnej temperaturze pracy +125°C

Firma Vishay opracowała dwa wysokoprądowe sterowniki bramek tranzystorów IGBT i MOSFET, wyróżniające się dopuszczalną temperaturą pracy +125°C i dużym prądem wyjściowym w stosunku do swoich gabarytów. VOFD341A i VOFD343A, pracujące z maksymalnym prądem wyjściowym odpowiednio 3 A i 4 A, są zamykane w obudowach SO-6 o wymiarach 6,8 x 4,5 x 3,2 mm. Zawierają emiter AlGaAs LED, sprzężony optycznie z wyjściowym stopniem mocy. Mogą bezpośrednio sterować tranzystorami IGBT o parametrach do 1200 V/100 A, stosowanymi m.in. w falownikach fotowoltaicznych, układach napędowych i zasilaczach UPS.

Dzięki dużej dopuszczalnej temperaturze pracy, VOFD341A i VOFD343A zapewniają szeroki margines bezpieczeństwa w urządzeniach o małych gabarytach, podczas gdy ich duży prąd wyjściowy, umożliwia szybsze przełączanie tranzystorów, poprzez wyeliminowanie potrzeby stosowania dodatkowego stopnia sterownika. Krótki czas propagacji (200 ns) minimalizuje straty na przełączanie, zapewniając jednocześnie bardziej precyzyjną kontrolę przebiegu PWM. Maksymalne napięcie robocze izolacji 1140 V pozwala na zastosowania w falownikach wysokonapięciowych przy zachowaniu wystarczającego marginesu bezpieczeństwa.