Tranzystor OptiMOS Linear FET 2 do układów hot-swap i ochrony akumulatorów
Aplikacje hot-swap w serwerach AI i telekomunikacji wymagają tranzystorów MOSFET o dużej niezawodności przy pracy w trybie liniowym i małej rezystancji RDS(ON). Firma Infineon wprowadza do tego typu zastosowań nowy typ tranzystora OptiMOS 5 Linear FET 2, charakteryzującego się optymalnym balansem między rezystancją RDS(ON), której mała wartość jest typowa dla tranzystorów produkowanych w technologii Trench oraz szerokim obszarem bezpiecznej pracy (SOA), typowym dla klasycznych, planarnych MOSFETów. Tranzystor ten zmniejsza ryzyko uszkodzenia obciążenia, ograniczając natężenie prądu rozruchowego oraz minimalizując straty mocy ze względu na małą rezystancję RDS(ON). W porównaniu z odpowiednikiem poprzedniej generacji (OptiMOS Linear FET), wykazuje szerszy obszar bezpiecznej pracy w wysokiej temperaturze otoczenia i mniejszy prąd upływu bramki.
100-woltowy OptiMOS 5 Linear FET 2 jest produkowany w obudowie TOLL i wykazuje 12-krotnie szerszy obszar SOA przy 54 V i 10 ms oraz 3,5-krotnie przy 100 µs w porównaniu ze standardowym tranzystorem OptiMOS 5 o zbliżonej rezystancji RDS(ON). Cecha ta jest szczególnie ważna w przypadku zwarcia w układach zabezpieczania akumulatorów w systemach BMS.
