Projekt referencyjny optymalizatora fotowoltaicznego z tranzystorami GaN FET
Firma Efficient Power Conversion opracowała projekt referencyjny optymalizatora fotowoltaicznego, zrealizowanego na tranzystorach GaN FET. EPC9178 maksymalizuje energię pobieraną z paneli, również w wymagających warunkach pracy, np. przy zacienieniu matrycy i zapewnia sprawność energetyczną na poziomie 98%. Został zrealizowany na płytce drukowanej o powierzchni 60 x 50 mm z wykorzystaniem kontrolera LM5177 produkcji Texas Instruments i 4 konwerterów DC-DC buck-boost, opartych na małostratnych 100-woltowych tranzystorach eGaN FET EPC2306 o rezystancji kanału 3,8 mΩ. Na płytce znajdują się też rezystory pomiarowe w obwodzie wejściowym i wyjściowym. Natężenie prądu wejściowego i wyjściowego zostało ograniczone do 15 A, co pozwala na pracę z maksymalną mocą wyjściową 675 W @ 45 VDC.
EPC9178 wyróżnia się dużą niezawodnością i niską ceną, wynikającą z małej liczby elementów pasywnych. Akceptuje napięcie wejściowe z zakresu od 30 do 60 V, a dzięki dużej częstotliwości taktowania (450 kHz), może współpracować z miniaturowymi komponentami pasywnymi. Jego napięcie wyjściowe może wynosić 30, 45 lub 60 V.
Płytka EPC9178 jest dostępna w cenie 480 USD, a ceny hurtowe tranzystorów EPC2306 zaczynają się od 1,87 USD przy zamówieniach 3 tys. sztuk.
