Izolowane sterowniki bramek tranzystorów SiC, IGBT i MOSFET

Firma Novosense opracowała nową serię izolowanych sterowników bramek tranzystorów SiC, IGBT i MOSFET, dostępnych w wariantach przemysłowych i motoryzacyjnych z kwalifikacją AEC-Q100. Mogą one znaleźć zastosowanie m.in. w pojazdach elektrycznych, klimatyzatorach i fotowoltaice. Charakteryzują się napięciem roboczym do 2121 VDC. Pojemnościowa bariera izolacyjna SiO2 między sekcją pierwotną i wtórną, zapewnia dużą odporność na wejściowe przepięcia sumacyjne (CMTI > 150 kV/μs).

Sterowniki serii NSI67X0 oferują wydajność prądową ±10 A i mogą pracować z maksymalnym wyjściowym napięciem sterowania 36 V, deklasując pod tym względem większość odpowiedników. Są zamykane w obudowach SOW16, zapewniających drogę upływu przekraczającą 8 mm, pomimo małych gabarytów. Zawierają zabezpieczenie nadprądowe i zwarciowe oraz zabezpieczenie podnapięciowe, niezależne dla sekcji HV i LV. Poza główną sekcją sterowania bramki tranzystora, struktura wewnętrzna nowych układów obejmuje blok próbkowania sygnału analogowego (również z izolacją pojemnościową), przetwarzający napięcie analogowe 0,2...4,7 V na sygnał z modulacją PWM. Może on być wykorzystany w pętli sprzężenia zwrotnego, np. do pomiaru napięcia lub temperatury, co minimalizuje koszty związane z koniecznością zakupu dodatkowych komponentów.

Pozostałe właściwości:

• zakres napięcia zasilania sekcji wejściowej: 3...5,5 V,
• maks. napięcie zasilania sekcji wyjściowej: 32 V,
• czas propagacji: typ. 90 ns,
• zakres temperatury roboczej: od -40 do +125°C,
• częstotliwość sygnału PWM: 10 kHz,
• zakres współczynnika wypełniania PWM: 6...96%,
• układ zabezpieczający Millera (4,5 A),
• wyjście Rail-to-Rail.