Firma TDK opracowała nową serię małogabarytowych transformatorów do sterowania bramek tranzystorów MOSFET i IGBT, zamykanych w obudowach o powierzchni 13 x 11 mm i wysokości 11 mm. Transformatory serii Epcos EP9 uzyskały kwalifikację AEC-Q200 Rev. E. Mogą być stosowane w wymagających aplikacjach e-mobility i przemysłowych o napięciu roboczym do 500 V, w tym w konwerterach o topologii półmostkowej i push-pull, pracujących z częstotliwością taktowania 100...400 kHz. Charakteryzują się bardzo dobrą izolacją i małą pojemnością sprzężenia, wynoszącą 2 pF. Zostały wykonane na bazie rdzenia ferrytowego MnZn. Ich odstęp izolacyjny i droga upływu wynoszą minimum 5 mm. Zakres dopuszczalnej temperatury pracy rozciąga się od -40 do +150°C.
|
Topologia |
Przekładnia |
LN1 (typ.) |
Lleak,N1 (typ.) |
E*dtN1 (maks.) [µVs] |
RDC,N1 mΩ |
RDC,N2 mΩ |
RDC,N3 mΩ |
|
|
B82804E0164A200 |
Half bridge |
1 : 2.8 : 1,53 |
260 |
5 |
20 / 40 |
180 |
1250 |
780 |
|
B82804E0473A200 |
Push-pull |
1 : 2,9 : 1 |
47 |
1.7 |
15 / 30 |
140 |
400 |
160 |
Więcej na: www.tdk-electronics.tdk.com
