Infineon powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące. BUP06CP038F-01 to pierwszy tego typu tranzystor p-kanałowy do aplikacji “NewSpace” m.in. w satelitach niskoorbitalnych, charakteryzujący się napięciem przebicia 60 V i dopuszczalnym prądem drenu równym 35 A. Zapewnia odporność na całkowitą dawkę napromieniowania (TID) do 30 krad (Si) oraz impulsy SEE (Single Event Effects) o energii do 46 MeV∙cm²/mg.
BUP06CP038F-01 stanowi rozszerzenie rodziny komponentów do systemów “NewSpace” nowej generacji, korzystających z tańszych i mniejszych tranzystorów MOSFET o zwiększonej odporności na promieniowanie. Ich oferta obejmuje wersje n-kanałowe o napięciu znamionowym od 60 do 150 V, a teraz również 60-woltowy wariant p-kanałowy. Są to tranzystory projektowane do misji trwających od 2 do 5 lat. W odróżnieniu od standardowych, hermetycznych tranzystorów o zwiększonej odporności na promieniowanie, są zamykane w mniejszych i lżejszych obudowach plastikowych z możliwością produkcji na standardowych liniach montażowych. Zapewniają odporność na całkowitą dawkę napromieniowania od 30 do 50 krad (Si) i mogą pracować w szerokim zakresie temperatury otoczenia od -55 do +175°C. Zastosowana w wariantach n-kanałowych technologia superzłączowa CoolMOS zapewnia krótsze czasy przełączania w porównaniu z odpowiednikami innych producentów.
Więcej na: www.infineon.com
