IXD2012NTR to podwójny sterownik bramek n-kanałowych tranzystorów MOSFET i IGBT, połączonych w konfiguracji półmostkowej. Zawiera wejścia sterujące, kompatybilne z poziomami TTL/CMOS od 3,3 V oraz wyjścia high-side i low-side o wydajności prądowej +1,9/-2,3 A. Może być zasilany napięciem z zakresu od 10 do 20 V, natomiast dopuszczalne napięcie przełącznika high-side w konfiguracji bootstrap wynosi 200 V. Układ nadaje się do pracy w szerokim zakresie temperatury otoczenia od -40 do +125°C. Jest zamykany w obudowie SOIC-8 o standardowym rozkładzie wyprowadzeń, dzięki czemu może być stosowany jako bezpośredni zamiennik sterowników innych producentów. Jego zakres zastosowań obejmuje konwertery DC-DC, układy napędowe i wzmacniacze klasy D.
