EPC2367 to nowy tranzystor GaN FET z oferty firmy EPC, wyróżniający się bardzo małą rezystancją RDS(ON), równą 1,2 mΩ - mniejszą o 30% od poprzedniego odpowiednika. Może on znaleźć zastosowanie m.in. w 48-woltowych systemach zasilania z szyną pośrednią. Jest zamykany w obudowie QFN o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. Charakteryzuje się napięciem znamionowym równym 100 V, dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 78 A i dopuszczalnym prądem impulsowym 309 A. Poza małą rezystancją drenu, zaletą tego modelu jest mały współczynnik FoM, redukujący straty przy pracy impulsowej oraz mała rezystancja termiczna, obniżająca temperaturę roboczą i wydłużająca czas bezawaryjnej pracy.
W ofercie EPC jest też dostępna płytka deweloperska EPC90164 z tranzystorami EPC2367 w układzie półmostkowym, przeznaczona do systemów o napięciu roboczym do 80 V i mogąca pracować z maksymalnym prądem wyjściowym 35 A. Zawiera ona wszystkie niezbędne komponenty pasywne na powierzchni 50,8 x 50,8 mm. Ceny hurtowe EPC2367 zaczynają się od 2,81 USD przy zamówieniach 3000 sztuk. Cena hurtowa płytki EPC90164 wynosi 200 USD.
Więcej na: www.epc-co.com
