Infineon rozszerza portfolio tranzystorów CoolSiC MOSFET 2. generacji (G2) o nowe warianty 650-woltowe o rezystancji RDS(ON) równej 75 mΩ, zaprojektowane z myślą o aplikacjach średniej mocy, w których kluczowe są wymiary podzespołów. Są one dostępne w kilku wariantach obudów, w tym TOLL, ThinTOLL 8x8, TOLT, D2PAK, TO247-3 i TO247-4 z chłodzeniem od góry (Top Side Cooling – TSC) i od dołu obudowy (Bottom Side Cooling – BSC).
Znajdują zastosowanie m.in. w systemach energii odnawialnej, ładowarkach pojazdów elektrycznych, napędach oraz w przemysłowych i serwerowych zasilaczach impulsowych (SMPS) o mocy do 12 kW, pozwalając osiągnąć gęstość mocy na poziomie 100 W/cal3 i sprawność sięgającą 97,5% przy pełnym obciążeniu. W porównaniu z odpowiednikami wcześniejszej generacji, zapewniają mniejszy współczynnik FOM, decydujący o stratach przy pracy impulsowej oraz szerszy zakres napięcia sterującego, wynoszący od -7 do +23 V. Mogą bezpiecznie pracować w trybie przebicia lawinowego, co pozwala uprościć konstrukcję obwodów zabezpieczających. Mała pojemność wyjściowa (Coss) umożliwia pracę z większymi częstotliwościami przełączania w topologiach soft switching, takich jak CLLC, DAB czy LLC. Z kolei w topologiach hard switching, nowe MOSFET-y zapewniają dużą niezawodność i są w małym stopniu podatne na przypadkowe włączenie wskutek działania reaktancji pasożytniczych.
Więcej na: www.infineon.com
