Wraz ze wzrostem zapotrzebowania na energoelektronikę o dużej sprawności i częstotliwości pracy, szczególnie z sektora elektromobilności, falowników fotowoltaicznych oraz infrastruktury telekomunikacyjnej, coraz powszechniej stosowane są tranzystory MOSFET z węglika krzemu. Charakteryzują się one jednak krótszym dopuszczalnym czasem zwarcia (SCWT rzędu 2 µs) w porównaniu z klasycznymi tranzystorami IGBT, dla których wartość ta wynosi około 10 µs. Z tego względu wymagają bardzo szybkich i niezawodnych układów zabezpieczających.
Do tego typu zastosowań firma Diotec Semiconductor zaprojektowała krzemowo-węglikową diodę Schottky’ego SI02C065SMB o dopuszczalnym ciągłym prądzie przewodzenia 2 A i napięciu przebicia 650 V, zamykaną w obudowie DO-214AA (SMB). Dzięki małemu ładunkowi wewnętrznemu, rzędu 5 nC (400 V, 2 A), zapewnia ona wyjątkowo szybkie przełączanie i minimalizuje straty. Napięcie przewodzenia przy prądzie 2 A wynosi maksymalnie 1,6 V, a prąd wsteczny to zaledwie 50 µA @ 650 V.
Dioda SI02C065SMB może znaleźć zastosowanie m.in. w prostownikach, falownikach fotowoltaicznych, układach korekcji PFC i zasilaczach telekomunikacyjnych.
Więcej na: www.diotec.com
