AG040FGS4FRA to tranzystor krzemowy MOSFET z kanałem wzbogacanym typu N. Element dyskretny, który charakteryzuje się: napięciem maksymalnym "dren-źródło" VDSS równym 40 V oraz prądem drenu ID o wartości 120 A. Jest to wartość obowiązująca przy temperaturze obudowy TC wynoszącej 25°C. Podzespół przeznaczony jest do zastosowań przemysłowych lub motoryzacyjnych. Względem przyrządu półprzewodnikowego zachowuje się zgodność ze standardem AEC-Q101. Tranzystor AG040FGS4FRA oferowany jest w obudowie o wymiarach: 6×4,9×1,2 mm. Obudowa przystosowana jest do montażu powierzchniowego (SMT) a sam element może zostać użyty na wszystkich płytkach PCB.
W stanie włączenia wartości rezystancji RDS(on) wynoszą: 1,8 mΩ - przy napięciu „bramka-źródło” VGS = 4,5 V oraz 1,1 mΩ - przy VGS = 10 V. Dzięki redukcji całkowitego ładunku bramki Qg, istnieje możliwość stosowania tranzystora AG040FGS4FRA w aplikacjach o wysokiej częstotliwości przełączania. Wśród aplikacji wymienić można m.in.: przetwornice DC/DC, falowniki i układy napędowe w pojazdach elektrycznych (EV). Dodatkowo moc rozpraszana PD nie przekracza 150 W pod warunkiem zagwarantowania właściwych warunków chłodzenia.
Zakres temperatury pracy AG040FGS4FRA mieści się w przedziale: od –55 do 175°C. Wszystkie przytoczone parametry predestynują tranzystor do zastosowań przede wszystkim w układach zasilania, sterownikach silników oraz systemach energoelektronicznych o obciążeniach często zmieniających się w czasie.
Więcej na: www.rohm.com
