Układy HBM4 oparto na dwunastowarstwowym stosie matryc DRAM umożliwiającym uzyskanie pojemności: od 24 do 36 GB. Co więcej, dostępny jest również wariant o stosie szesnastowarstwowym, którego pojemność nie przekracza 48 GB. Podzespół wytwarzany jest w 2 procesach technologicznych: 10 nm – dla matryc DRAM oraz 4 nm – dla układów sterowania. Charakteryzuje go przepustowość maksymalna 3,3 TB/s, co w porównaniu do rozwiązań starszej generacji warunkuje przyrost wydajności około 2,7 razy.
W celu obniżenia strat mocy zastosowane zostały rozwiązania redukujące pobór mocy. Równocześnie dokonano optymalizacji ścieżek, które doprowadzają napięcie zasilania do podzespołów w układach HBM4. W ten sposób podwyższono sprawność energetyczną układów, zwiększono ich zdolność do odprowadzania ciepła i sprawiono, że podzespoły mogą pracować w rozszerzonym zakresie temperatury otoczenia.
Rozwój rodziny układów obejmuje kolejne warianty, w tym HBM4E, dostosowane do specyficznych wymagań systemów obliczeniowych. Zwiększona przepustowość danych, przy wzroście sprawności, sprzyja ograniczeniu kosztów eksploatacyjnych, szczególnie wtedy, gdy układy HBM4 znajdują zastosowania w kartach graficznych lub w modułach, których najważniejszym przeznaczeniem są centra przetwarzania danych.
Więcej na: news.samsung.com
