Firma STMicroelectronics rozszerza rodzinę STPOWER o siedem nowych wariantów tranzystorów PowerGAN, które mogą pracować przy napięciu do 700 V. To podzespoły dostępne w wariantach o prądzie drenu ID: od 6 do 29 A i rezystancji w stanie przewodzenia RDS(on) mieszczącej się w zakresie: 53-270 mΩ. Rozwiązania serii mają podłoże oparte na azotku galu (GaN) sprawdzające się w aplikacjach takich jak: urządzenia elektroenergetyczne, centra danych i zasilacze wysokonapięciowe. Parametry nowych tranzystorów umożliwiają także projektowanie przetwornic o zwiększonej częstotliwości przełączania. Najważniejszymi zaletami przytoczonych komponentów są: obniżone straty przewodzenia i pomijalny ładunek odzyskiwania wstecznego Qrr. Zwłaszcza ostatni parametr jest kluczowy, ponieważ warunkuje najwyższą sprawność energetyczną systemu i pozwala na zarządzanie mocą w efektywny sposób.
Nowe tranzystory PowerGAN oferowane są w obudowach typu: DPAK, TOLL lub PowerFLAT. To odpowiedź na rosnące zapotrzebowanie na rozwiązania działające niezawodnie w zróżnicowanej klasie środowisk. Dotyczy to w szczególności jednostek roboczych, w których wykonuje się algorytmy sztucznej inteligencji (AI), robotów humanoidalnych, krytycznych instalacji przemysłowych i urządzeń gospodarstwa domowego o coraz większych wymaganiach energetycznych.
Więcej na: www.st.com
