Oferta firmy Nexperia została rozszerzona o nowe warianty tranzystorów polowych (FET) z podłożem opartym na azotku galu (GaN). Są to elementy półprzewodnikowe, dostępne w obudowach: TO-247-3, TO-247-4, TOLL oraz TOLT, charakteryzujące się parametrami, pośród których najważniejszymi są: napięcie "dren–źródło" VDS poniżej 650 V oraz rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) równa: 35, 50 bądź 70 mΩ.
Co kluczowe, każdy z komponentów zaprojektowano z myślą o aplikacjach, które wymagają najwyższej sprawności energetycznej (to m.in.: centra danych, systemy magazynowania energii oraz przetwornice rezonansowe LLC). W porównaniu do tranzystorów krzemowych, nowe elementy warunkują wzrost gęstości mocy o minimum 40-70%. Zastosowanie tranzystorów GaN przynosi wymierne korzyści również w przemysłowych układach napędowych. Natomiast w falownikach rozwiązania ograniczają straty mocy o niemal 20–25%, co przekłada się bezpośrednio na mniejsze wymagania powiązane z odprowadzaniem ciepła. W rezultacie systemy chłodzenia mogą zostać zmniejszone, a całe urządzenia stają się bardziej niezawodne, kompaktowe i energooszczędne – przy równoczesnym obniżeniu kosztów eksploatacji w długim horyzoncie czasu.
Więcej na: www.nexperia.com
