Firma STMicroelectronics przełamuje barierę gęstości mocy tranzystorów MOSFET, wprowadzając do oferty pierwszy tranzystor zamykany w obudowie PowerFLAT 8x8 HV o grubości zaledwie 1mm. Model STL21N65M5 został wykonany w technologii MDmesh V.
Jest zamykany w obudowie o powierzchni 8 x 8mm i grubości 1mm, wyposażonej w \"okno\" radiatora skutecznie odprowadzające ciepło wygenerowane w strukturze. Nowy standard obudowy jest obecnie stosowany obok STMicroelectronics także przez firmę Infineon Technologies (ozn. ThinPAK 8x8).
Tranzystor STL21N65M5 charakteryzuje się napięciem RDS(on) równym 0,19Ω, rezystancją termiczną złącze-obudowa (Rthj-c) 1,0 °C/W, napięciem przebicia 650V i dopuszczalnym prądem drenu 17A.
Więcej na: www.st.com