Podwójny p-kanałowy tranzystor TrenchFET 2 x 2mm o rezystancji kanału 54mΩ @ -4,5V

SiA923EDJ to podwójny p-kanałowy tranzystor MOSFET 20V wykonany w technologii Trench, wyróżniający się małą rezystancją kanału i możliwością sterowania bramki napięciem już od 1,5V, co pozwala wyeliminować przesuwniki poziomów logicznych.

Pracuje z maksymalnym prądem drenu wynoszącym 4,5A w trybie ciągłym i 15A w impulsie. Jest produkowany w obudowie PowerPAK SC-70-6 o powierzchni 2 x 2mm. Rezystancja bramki w zależności od wartości napięcia sterowania wynosi 54mΩ @ -4,5V, 70mΩ @ -2,5V, 104mΩ @ -1,8V i 165mΩ @ 1,5V.

Wartości te są do 10% mniejsze od najbliższego odpowiednika. SiA923EDJ jest zabezpieczony przed wyładowaniami ESD do 2500V. Może pracować w szerokim zakresie temperatur złącza od -55°C do +150°C.