Pierwsze miniaturowe MOSFETy w nowym typie obudowy DFN1212-3

W ofercie firmy Diodes pojawiły się 4 pierwsze tranzystory MOSFET produkowane w nowym typie miniaturowej obudowy DFN1212-3. Występują one w wersjach p- i n-kanałowych o napięciach przebicia 20, 30 i 60V i maksymalnym prądzie drenu 1,7A. Wartości rezystancji drenu zaczynają się od 150mΩ w przypadku n-kanałowego DMN2300UFD.

Obudowa DFN1212-3 charakteryzuje się rezystancją termiczną Rthj-a równą 130 ºC/W, ponad dwukrotnie mniej od standardu SOT723 (280 ºC/W) przy niemal identycznych wymiarach i rozkładzie pól lutowniczych.

W stabilnych warunkach pracy może rozpraszać moc do 1W, zapewniając niższą temperaturę pracy wewnętrznej struktury. Zajmuje powierzchnię 1,44 mm2 i charakteryzuje się grubością 0,5mm.