Ferroelektryczne pamięci RAM o napięciu zasilania 3,0...5,5 V

Fujitsu wprowadza na rynek serię pamięci FRAM o rozszerzonym zakresie napięć zasilania od 3,0 do 5,5 V. Dotychczas były one dostępne jedynie na napięcie 3,0 V. Dwa pierwsze układy, MB85RC16V i MB85RC64V zawierają interfejs I²C i są dostępne na zakres pojemności od 16 do 64 Kb. 

Pracują z maksymalną częstotliwością taktowania 400 kHz. W porównaniu z wcześniejszymi wersjami 3-woltowymi pobierają mniejszy prąd w stanie aktywnym (typ. 40 µA @ 400 kHz) i w trybie standby (typ. 5 µA). Charakteryzują się 10-letnim czasem przechowywania danych w temperaturze +85°C i żywotnością matrycy 1012 cykli kasowania/zapisu w przemysłowym zakresie temperatur od –40 do +85°C.

Nowa oferta Fujitsu ma obejmować pamięci o zakresie pojemności od 16 do 256 Kb, wyposażone w interfejsy I²C i SPI. FRAM to specjalny typ pamięci nieulotnej, łączący zalety technologii SRAM i EEPROM.

Zapewnia jednocześnie krótki czas dostępu, bardzo mały pobór mocy i praktycznie nieograniczoną żywotność. Pamięci FRAM są polecane do zastosowań wszędzie tam, gdzie występują częste operacje zapisu/odczytu i wymagane jest bezpieczeństwo danych w przypadku utraty zasilania.