Szeregowe pamięci SRAM o pojemności do 1 Mb i szybkości transmisji 80 Mb/s

Microchip wprowadza do sprzedaży cztery szeregowe pamięci SRAM o dużej pojemności i dużej szybkości transmisji. Są to układy zasilane napięciem do 5 V, produkowane w 8-wyprowadzeniowych obudowach SOIC, TSSOP i PDIP. Korzystają z protokołów quad-SPI (SQI), zapewniając maksymalną szybkość transmisji 80 Mb/s.

Nowa oferta obejmuje wersje 23A1024 i 23LC1024 o pojemności 1 Mb zasilane napięciami z przedziału odpowiednio 1,7...2,2 V i 2,5...5,5 V oraz ich 512-kilobitowe odpowiedniki o oznaczeniach 23A512 i 23LC512. Wszystkie nowe układy charakteryzują się małym poborem prądu wynoszącym 3 mA w trybie odczytu i 4 µA w trybie standby.

Mogą pracować w przemysłowym zakresie temperatur. Pozwalają projektantom systemów embedded zintegrować większą pamięć SRAM znacznie niższym kosztem niż migrując do bardziej zaawansowanych mikrokontrolerów o większej pamięci wbudowanej. Z kolei ich zaletą w stosunku do równoległych pamięci SRAM jest mniejszy pobór mocy, mniejsza liczba wyprowadzeń i niższa cena.

Kolejną nowością Microchip są dwie tanie, nieulotne pamięci SRAM z podtrzymaniem bateryjnym: 23LCV512 (512 Kb) i 23LCV1024 (1 Mb). Obie cechują się praktycznie nieograniczoną żywotnością i 20-letnim czasem przechowywania danych. Korzystają z protokołów dual-SPI (SSI), zapewniając maksymalną szybkość transmisji równą 40 Mb/s.

Są mniejsze od równoległych pamięci NVSRAM i równie energooszczędne, a przy tym znacznie tańsze od pamięci FRAM. Znajdują zastosowanie w miernikach i rejestratorach danych, dla których kluczowym parametrem jest długi czas bezawaryjnej pracy.