Superzłączowe MOSFETy 600 V o rezystancji kanału 150 mΩ

Firma Renesas zaprezentowała trzy nowe superzłączowe tranzystory MOSFET z wbudowaną szybką diodą regeneracyjną, których rezystancję kanału obniżono do zaledwie 150 mΩ (ID=10 A, VGS=10 V). Charakteryzują się one równocześnie małym ładunkiem bramki, pozwalającym na zastosowania w szybkich impulsowych układach dużej mocy.

Nowe tranzystory produkowane są w trzech typach obudów: TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK) i LDPAK (RJL60S5DPE). Wszystkie cechują się dopuszczalnym prądem drenu 20 A i krótkim czasem regeneracji wynoszącym 150 ns. Dzięki małej pojemności bramka-dren wykazują jedynie minimalne oscylacje przy przełączaniu, zwiększając stabilność pracy zwłaszcza w przypadku trójfazowych układów mostkowych szeroko stosowanych w układach napędowych i falownikach. Dopuszczalna temperatura pracy wewnętrznej struktury wynosi +150°C.